什么是源极什么是漏极
为什么mos管关断时,栅源极的电压为负值?mos管有N沟道和P沟道两种类型。今天我们以N 沟道增强型mos 管为例讲解，它由源极(S)、漏极(D)和栅极(G)组成。在正常工作时，当栅极-源极电压VGs大于开启电压Vth时，在栅极下方的氧化层下面会形成导电沟道，使得漏极和源极之间可以导通电流。那么为什么在关断状态下栅源极电是什么。
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英特尔公司申请穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥专利,...金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥”的专利，公开号CN 118825018 A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术来等我继续说。
英特尔申请穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥专利,形成...金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥”的专利，公开号CN 118825023 A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术还有呢？
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...其制造方法专利,该半导体器件包括源极和漏极,分别具有第一掺杂类型金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“公开号CN117280475A,申请日期为2022年2月。专利摘要显示，本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括源极和漏极，分别具有第一掺杂类型；栅极小发猫。
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台积电取得半导体装置专利,该半导体装置包含 n 型源极/漏极磊晶层、...金融界2024 年7 月12 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“授权公告号CN221327722U,申请日期为2023 年11 月。专利摘要显示，一种半导体装置包含n 型源极/漏极磊晶层、p 型源极/漏极磊晶层以及介电层。介电层在该n 型还有呢？
台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也等会说。
台积电取得制造半导体器件的方法专利,扩大用于形成源极/漏极接触件...金融界2024年3月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法“授权公告号CN113451215B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示，本公开涉及制造半导体器件的方法。本公开提供了一种扩大用于形成源极/漏极接触件的工艺小发猫。
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三星申请半导体装置专利,半导体装置包括基底、沟道图案、源极/漏极...金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“公开号CN117476644A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示，公开了半导体装置，所述半导体装置包括基底、沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和第一间隔件，基底包括有源图案，沟道图等我继续说。
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三星申请具有异质接触件的集成电路专利,下部源极/漏极接触件的顶部...源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线是什么。
京东方A申请显示基板及显示装置专利,可解决源极和漏极之间距离过近...其可解决现有的显示基板中的金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极之间的距离过近，容易发生短路，影响显示效果的问题。本公开的显示基板包括：基底、位于基底上的至少一个低温多晶硅薄膜晶体管及至少一个金属氧化物薄膜晶体管；低温多晶硅薄膜晶体管包括：低温多晶硅半导体层、第说完了。
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