什么叫离子氮化_什么叫离散型随机变量

孝感楚能申请一种采用ALD技术包覆的氮化锂复合材料及其制备方法和...孝感楚能新能源创新科技有限公司申请一项名为“一种采用ALD技术包覆的氮化锂复合材料及其制备方法和应用”的专利,公开号CN 118943344 A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明提供了一种采用ALD技术包覆的氮化锂复合材料及其制备方法和应用,涉及锂离子电池的技术等我继续说。

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山东艾德实业取得一种通过离子掺杂实现渗碳和氮化的处理方法专利金融界2024年9月25日消息,国家知识产权局信息显示,山东艾德实业有限公司取得一项名为“一种通过离子掺杂实现渗碳和氮化的处理方法”的专利,授权公告号CN 118497662 B,申请日期为2024年7月。

宁波皓丽金属申请用于料筒性能提升的双离子焊接工艺专利,极大延长...本发明公开了一种用于料筒性能提升的双离子焊接工艺,包括以下步骤:第一、在预定区域通过离子焊接装置以焊丝焊接形成填料层;第二、通过离子氮化炉对填料层进行离子氮化处理,本方案设计强化工艺,通过离子焊接使焊丝在预定区域固化填充形成填料层,对填料层进行氮化处理,双离子还有呢?

江化微申请硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法及氮化碳纳米管的应用专利...江阴江化微电子材料股份有限公司申请一项名为“硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法及氮化碳纳米管的应用“公开号CN117446760A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法,包括以下步骤:S1,将三聚氰胺和硫脲加入到去离子水中混合;S2说完了。

晶合集成申请浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法专利,修正阈值...本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备,在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后,注入一定浓度的B离子到AA corner,之后移除垫氮化层,在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区,根据设计对有源区进还有呢?

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中国科学院在高能量密度材料聚合氮制备领域取得重要进展IT之家10 月8 日消息,中国科学院合肥物质院固体所王贤龙研究员团队以第一性原理计算为理论依据,采用叠氮化钾为前驱体,基于自主研建的等离子体增强化学气相沉积装置,成功在常压下合成了具有类金刚石结构的高含能立方偏转聚合氮,为立方聚合氮的宏量制备提供了一种简单高效的后面会介绍。

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