什么是源极栅极漏极
为什么mos管关断时,栅源极的电压为负值?mos管有N沟道和P沟道两种类型。今天我们以N 沟道增强型mos 管为例讲解，它由源极(S)、漏极(D)和栅极(G)组成。在正常工作时，当栅极-源极电压VGs大于开启电压Vth时，在栅极下方的氧化层下面会形成导电沟道，使得漏极和源极之间可以导通电流。那么为什么在关断状态下栅源极电还有呢？
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...方法专利,实现在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一等我继续说。
台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...多栅极半导体器件及其制造方法“授权公告号CN112018178B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙是什么。
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华润微电子(重庆)有限公司申请一种HEMT器件及其制备方法专利,实现...源极、漏极、栅极及隔离电极，其中，半导体结构包括依次层叠的衬底、沟道层及势垒层，环形隔离层位于势垒层的上表面，且环形隔离层环绕的区域作为主体器件区；帽层位于主体器件区中势垒层的上表面且与环形隔离层间隔预设距离；源极及漏极均与主体器件区的势垒层电连接，帽层位于源等会说。
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三星申请集成电路器件专利,实现鳍型有源区、沟道区、栅极线和源极/...金融界2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件“公开号CN117199071A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型是什么。
...其制造方法专利,该半导体器件包括源极和漏极,分别具有第一掺杂类型该半导体器件包括源极和漏极，分别具有第一掺杂类型；栅极，位于所述源极与所述漏极之间；以及源极触点和漏极触点，所述源极触点与所述源极接触，所述漏极触点与所述漏极接触，所述源极触点和所述漏极触点中的每个触点包括半金属层以及被掺杂在所述半金属层中的掺杂物，所述掺杂物好了吧！
...半导体结构及其制备方法专利,降低半导体结构的栅极诱导漏极泄漏电流用于解决半导体结构具有较大的栅极诱导漏极泄漏电流的技术问题，该方法包括提供具有第一沟槽的衬底；在第一沟槽的底部形成第一初始掺杂区；对第一沟槽进行氧化处理，在第一沟槽的侧壁形成第一氧化层，在第一沟槽的底部形成第二氧化层，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。本等会说。
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三星申请具有异质接触件的集成电路专利,下部源极/漏极接触件的顶部...其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延说完了。
三星申请半导体器件专利,金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏...金融界2024年4月16日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117894838A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：在衬底上的有源区；彼此间隔开的多个沟道层；在衬底上的栅极结构；在栅极结构的至少一侧的源极/漏还有呢？
...降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流,提高半导体结构的可靠性沟道区中设置有反型掺杂区，反型掺杂区靠近第一掺杂区，其中，反型掺杂区中的掺杂类型与沟道区中掺杂类型不同；栅极，栅极环绕部分沟道区，且于有源柱的轴线所在的平面上，栅极的投影与反型掺杂区的投影部分重合，以降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流，提高半导体结构的可靠性等我继续说。
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