什么是源极和漏极_什么是源极漏极栅极
为什么mos管关断时,栅源极的电压为负值?mos管有N沟道和P沟道两种类型。今天我们以N 沟道增强型mos 管为例讲解，它由源极(S)、漏极(D)和栅极(G)组成。在正常工作时，当栅极-源极电压VGs大于开启电压Vth时，在栅极下方的氧化层下面会形成导电沟道，使得漏极和源极之间可以导通电流。那么为什么在关断状态下栅源极电还有呢？
英特尔公司申请穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥专利,...金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥”的专利，公开号CN 118825018 A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术来说完了。
英特尔申请穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥专利,形成...金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥”的专利，公开号CN 118825023 A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术说完了。
台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也说完了。
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...半导体装置包括基底、沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和第一间隔件金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“公开号CN117476644A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示，公开了半导体装置，所述半导体装置包括基底、沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和第一间隔件，基底包括有源图案，沟道图是什么。
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...和制造方法专利,通过穿过第一电介质层和第二电介质层暴露源极/漏极...申请日期为2021年6月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和制造方法。根据一些实施例，通过穿过第一电介质层和第二电介质层暴露源极/漏极区域，来形成源极/漏极接触件。使第二电介质层在第一电介质层之下凹陷，并且在源极/漏极区域上形成硅化物区域，其中硅化物区域具有扩展的说完了。
...包括有源图案的衬底、沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117936566A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体器件可以包括：包括有源图案的衬底、在有源图案上的沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案。沟道图说完了。
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...形成方法专利,半导体器件包括有源区和多种金属到漏极/源极接触结构第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一、第二和第三MD接触结构中说完了。
...其制造方法、存储器系统专利,改变读取晶体管的源极和漏极之间的阻态所述存储结构包括存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元；每一所述存储单元包括写入晶体管和读取晶体管，其中，通过所述写入晶体管改变所述读取晶体管的源极和漏极之间的阻态；外围结构，位于所述第二表面；连接结构，贯穿所述衬底且电连接所述存储结构和所述外围结构。本文源自还有呢？
华为公司申请环栅晶体管专利,可以生长出晶体质量较好的源极和漏极源极(031)、漏极(032)、内部隔离部(04)和栅极结构(05)。由于内部隔离部(04)是通过对源极(031)靠近侧墙(051)一侧以及对漏极(032)靠近侧墙(051)一侧进行氧化形成，可以使源极(031)和漏极(032)在外延生长时是沿着牺牲层(022)和沟道层(021)的暴露面开始，因此源极(031)和漏极(032)的说完了。
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